介質損耗角正切測試儀

北京北廣精儀儀器設備有限公司

介電常數介質損耗測試儀  型號：BDAT-A

印電路板主要由玻纖與環氧樹脂組成的, 玻纖介電常數為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。

一、介質損耗角正切測試儀主要特點：

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二、介質損耗角正切測試儀介電常數介質損耗試驗儀主要技術特性

介質損耗和介電常數是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復合材料等的一項重要的物理性質，通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數（ε），可進一步了解影響介質損耗和介電常數的各種因素，為提高材料的性能提供依據；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。

它以單片計算機作為儀器的控制，測量核心采用了頻率數字鎖定，標準頻率測試點自動設定，諧振點自動搜索，Q值量程自動轉換，數值顯示等新技術，改進了調諧回路，使得調諧測試回路的殘余電感減至醉低，并保留了原Q表中自動穩幅等技術，使得新儀器在使用時更為方便，測量值更為晶確。儀器能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質損耗，高頻回路有效并聯及串聯電阻，傳輸線的特性阻抗等。

電容測量

測量范圍：1～460pF（460pF以上的電容測量見使用規則）；

電容量調節范圍

主調電容器：40～500pF；

準  確  度：150pF以下±1.5pF；150pF以上±1％；

微調電容量：－3pF～0～＋3pF；

準  確  度：±0.2pF。

振蕩頻率

a．振蕩頻率范圍：25kHz～50MHz；

b．頻率分檔：25～74kHz，    74～213kHz，    213-700kHz，    700kHz～1.95MHz，

1.95MHz～5.2MHz，    5.2MHz～17MHz，    17～50MHz。

c．頻率誤差：2×10-4±1個字。

Q合格指示預置功能，預置范圍：5～999。

儀器正常工作條件

a. 環境溫度：0℃～+40℃；

b．相對濕度：<80％；

c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。

試樣尺寸圓片形：厚度2+0.5mm，直徑為Φ30~40mm（ε<12時），φ25~35mm（ε=12~30時），φ15~20mm（ε>30時）

其他

a．消耗功率：約25W；

b．凈重：約7kg；

c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。

Q合格指示預置功能

預置范圍：5～1000。

Q表正常工作條件

a. 環境溫度：0℃～+40℃；

b．相對濕度：<80％；

c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。

其他

a．消耗功率：約25W；

b．凈重：約7kg；

c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。

四、全自動抗干擾介質損耗測試儀是一種新穎的測量介質損耗角正切值（tgδ）和電容值（Cx）的智能化儀  介質損耗測試儀圖片

器?？梢栽诠ゎl高壓下，現場測量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設備的介質損耗角正切值（tgδ）和電容值（Cx）。儀器為一體化結構，內置標準電容器和升壓電源，體積小、重量輕，便于攜帶，具有操作簡單、自動測量、讀數直觀、無需換算、精度高、抗干擾能力強等優點,亦可外接電源與本廠生產的各種規格的高電壓等級的標準電容器配套使用，用以測量高壓介損。

2．高壓輸出 2KV 5KV 10KV 三檔

容 量 1000VA

3. 精 度

tgδ范 圍 精度（正、反接法）

tgδ<15% △ tgδ:±（讀數*1.0%+0.05%）

關于高頻介電常數介質損耗測試儀的技術性綜述文章框架及核心內容，適用于工程師、研究人員或技術決策者參考：

高頻介電常數介質損耗測試儀：原理、技術與應用前沿

文摘

高頻介電性能（介電常數(varepsilon_r)和損耗角正切(tan delta)）是材料在射頻（RF）、微波及毫米波領域的關鍵參數。本文系統解析高頻介電測試儀的技術原理、主流測量方法、系統組成、校準挑戰及前沿發展趨勢，為材料研發與工程應用提供技術依據。

一、測量原理與核心參數

1.介電常數((varepsilon_r))

表征材料存儲電場能量的能力：(varepsilon_r=varepsilon j varepsilon)

實部(varepsilon')：極化能力；虛部(varepsilon'')：能量損耗

2.介質損耗角正切((tan delta))

定義：(tan delta=varepsilon/varepsilon')，損耗越低(tan delta)越小

直接決定器件Q值：(Q approx 1/tan delta)

二、主流測量技術方法

1.傳輸/反射法（頻域法）

原理：通過矢量網絡分析儀（VNA）測量材料對入射電磁波的S參數（(S_,S_)），反演(varepsilon_r)和(tan delta)

適用頻段：1 MHz–110GHz（覆蓋5G/6G毫米波）

常用夾具：

同軸空氣線（適用于粉末/液體）：ASTM D5568

波導夾具（毫米波頻段）：精度高，需精密機加工

微帶線/共面波導（CPW）夾具：兼容集成電路基板測試

算法：Nicolson Ross Weir(NRW)、迭代優化算法

2.諧振法

原理：利用介質諧振器或腔體，通過諧振頻率(f_0)和品質因數(Q)計算參數

(varepsilon_r propto(f_text{airf_0)^2)，(tan delta propto 1/Q)

優勢：超高精度(tan delta)低至(10^6，適合低損耗材料

類型：

圓柱腔法（TE(_{01 delta})模）：IEC 61189 2

開式諧振腔：非接觸測量，適合薄膜/柔性材料

三、測試系統核心組件

|模塊|技術要求|

|||

|信號源|寬頻帶（DC~110 GHz）、高相位穩定性|

|矢量網絡分析儀|動態范圍>130 dB，時域門功能抑制雜散反射|

|測試夾具|阻抗匹配（50Ω）、低駐波比（VSWR<1.2）|

|校準標準件|SOLT（短路開路負載直通）、TRL（直通反射線）|

|軟件算法|材料參數反演、去嵌入（De embedding）、誤差修正|

四、技術挑戰與解決方案

1.校準精度問題

挑戰：夾具界面反射、電纜相位漂移、高階模耦合

方案：

TRL校準：消除夾具系統誤差（黃金標準）

時域門（TDR）：分離夾具與樣品的反射信號

2.高頻邊緣場效應

挑戰：>30 GHz時，電磁場在樣品邊緣衍射導致誤差

方案：

樣品尺寸>5倍波長（(lambda)）

采用模式匹配法修正邊緣場

3.薄膜/非均勻材料測試

方案：

開式諧振腔：分辨率達納米級薄膜

太赫茲時域光譜（THz TDS）：擴展至0.1~4 THz頻段

五、前沿技術趨勢

1.多物理場聯測系統

同步測量介電性能+導熱系數（如5G基站材料）

2.人工智能輔助優化

深度學習反演算法：提升NRW法在強損耗材料中的精度

3.片上測量（On Wafer）

探針臺集成：直接測試晶圓級材料（180 GHz以上）

4.高溫/低溫原位測試

拓展至196°C（液氮）~500°C（航空航天熱工況）

六、標準與規范

國際標準：

IEEE 1528（天線罩材料）

IPC TM 650 2.5.5.5（PCB高頻測試）

IEC 60250（液體電介質）

中國國標：GB/T 1409 2006（固體絕緣材料）

七、選型指南

|需求場景|推薦技術方案

|毫米波材料（>30 GHz）|波導夾具+VNA（110 GHz）+TRL校準

|超低損耗陶瓷（(tan delta<10^))|圓柱諧振腔法

|柔性薄膜/生物材料